类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -6.70 A |
封装 | TO-220-3 |
极性 | P-Channel |
功耗 | 43W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | -60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | -6.70 A |
上升时间 | 63.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 270pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 43W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Infineon(英飞凌)
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P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9530NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 14A, TO-220AB 新
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