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IRF9Z14PBF
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IRF9Z14PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:IRF9Z14PBF 数据手册 (10 页)
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IRF9Z14PBF 数据手册 (10 页)
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IRF9Z14PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-6.70 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.5 Ω
极性P-Channel
功耗43 W
漏源极电压(Vds)-60.0 V
漏源击穿电压-60.0 V
连续漏极电流(Ids)-6.70 A
上升时间63.0 ns
输入电容值(Ciss)270pF @25V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)43 W
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IRF9Z14PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度15.49 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IRF9Z14PBF 数据手册

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