| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 43000 mW |
| 上升时间 | 63 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 270pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 31 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 43W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 15.49 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.50ohm ，ID = -6.7A ） Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
VISHAY（威世）
单 P 沟道 60 V 0.5 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
Vishay Semiconductor（威世）
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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