Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRF9Z14SPBF Datasheet 文档
IRF9Z14SPBF
来自 AiPCBA

IRF9Z14SPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRF9Z14SPBF 数据手册 (2 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF9Z14SPBF 数据手册 (2 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF9Z14SPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-6.70 A
封装TO-263-3
漏源极电阻0.5 Ω
极性P-Channel
功耗43 W
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压-60.0 V
连续漏极电流(Ids)-6.70 A
上升时间63.0 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
查看数据手册 >

IRF9Z14SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.51 mm
宽度9.65 mm
高度15.49 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
查看数据手册 >

IRF9Z14SPBF 数据手册

IRF9Z14SPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.05 MByte
IRF9Z14SPBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
11 页 / 0.21 MByte

IRF9Z14 数据手册

IRF9Z14 数据手册
Vishay Siliconix
IRF9Z14 数据手册
VISHAY（威世）
IRF9Z14 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF9Z14 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
IRF9Z14 数据手册
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.50ohm ，ID = -6.7A ） Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
IRF9Z14PBF 数据手册
VISHAY（威世）
单 P 沟道 60 V 0.5 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
IRF9Z14SPBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF9Z14PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
IRF9Z14STRLPBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF9Z14PBF 数据手册
Vishay Siliconix
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF9Z14 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet