| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 60W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电容值(Ciss) | 570pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF9358TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -9.2 A, -30 V, 0.013 ohm, -10 V, -1.8 V 新
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9530NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 14A, TO-220AB 新
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