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IRF9Z24NSTRLPBF
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IRF9Z24NSTRLPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
PDF文件:IRF9Z24NSTRLPBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在8 页9 页
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焊盘图
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产品图
IRF9Z24NSTRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRF9Z24NSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性P-Channel
功耗3.8 W
输入电容350 pF
漏源极电压(Vds)55 V
连续漏极电流(Ids)12A
上升时间55 ns
输入电容值(Ciss)350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3.8 W
下降时间37 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.8W (Ta), 45W (Tc)
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IRF9Z24NSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.67 mm
宽度11.3 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRF9Z24NSTRLPBF 数据手册

IRF9Z24NSTRLPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.38 MByte
IRF9Z24NSTRLPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRF9Z24NSTRLPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.3 MByte
IRF9Z24NSTRLPBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRF9Z24NSTRLPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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