| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.28 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 3.7 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | -60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A, -11.0 A |
| 上升时间 | 68 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 570pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.7 W |
| 下降时间 | 29 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3700 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2000 |
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
9 页 / 0.16 MByte
VISHAY（威世）
3 页 / 0.06 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF9Z24NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
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