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IRF9Z24STRRPBF
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IRF9Z24STRRPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRF9Z24STRRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF9Z24STRRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF9Z24STRRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
漏源极电阻280 mΩ
极性P-Channel
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)-11.0 A
上升时间68 ns
输入电容值(Ciss)570pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3.7 W
下降时间29 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3700 mW
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IRF9Z24STRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量2000
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IRF9Z24STRRPBF 数据手册

IRF9Z24STRRPBF 数据手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.15 MByte
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