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IRF9Z30
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IRF9Z30 数据手册 (6 页)
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IRF9Z30 技术参数、封装参数

IRF9Z30 外形尺寸、物理参数、其它

IRF9Z30 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
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IRF9 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9540NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9310TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0039 ohm, -10 V, -1.8 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9540NSTRLPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, 20 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9Z24NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9530NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9358TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -9.2 A, -30 V, 0.013 ohm, -10 V, -1.8 V 新
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF9530NPBF  场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 14A, TO-220AB 新
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