| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 额定功率 | 170 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.52 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 170 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1423pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 35.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1423pF @25V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 170 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 0.52ohm ，ID = 11A） Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A)
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFB11N50APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 4 V
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