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IRFB13N50APBF
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IRFB13N50APBF 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IRFB13N50APBF 数据手册 (8 页)
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IRFB13N50APBF 数据手册 (8 页)
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IRFB13N50APBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
功耗250000 mW
上升时间39 ns
输入电容值(Ciss)1910pF @25V(Vds)
下降时间31 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)250W (Tc)
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IRFB13N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFB13N50APBF 数据手册

IRFB13N50APBF 数据手册
Vishay Siliconix
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