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IRFB16N50KPBF
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IRFB16N50KPBF 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IRFB16N50KPBF 数据手册 (8 页)
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IRFB16N50KPBF 数据手册 (8 页)
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IRFB16N50KPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)500 V
额定电流17.0 A
封装TO-220-3
极性N-Channel
功耗280W (Tc)
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)17.0 A
上升时间77.0 ns
输入电容值(Ciss)2210pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)280W (Tc)
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IRFB16N50KPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFB16N50KPBF 数据手册

IRFB16N50KPBF 数据手册
Vishay Siliconix
8 页 / 0.36 MByte
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