| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 220000 mW |
| 上升时间 | 51 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2760pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 220W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 15.49 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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VISHAY IRFB17N50LPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 5 V 新
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功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON） （典型值） = 0.28ohm ，ID = 16A） Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
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