Datasheet 搜索 > VISHAY（威世） > IRFB18N50K Datasheet 文档
IRFB18N50K
来自 AiPCBA

IRFB18N50K 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:TO-220-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFB18N50K 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFB18N50K 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFB18N50K 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
漏源极电阻290 mΩ
极性N-CH
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)17A
上升时间60 ns
输入电容值(Ciss)2830pF @25V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)220000 mW
查看数据手册 >

IRFB18N50K 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
最小包装数量50
查看数据手册 >

IRFB18N50K 数据手册

IRFB18N50K 数据手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.29 MByte
IRFB18N50K 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.16 MByte

IRFB18N50 数据手册

IRFB18N50KPBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFB18N50KPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  IRFB18N50KPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 5 V
IRFB18N50K 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFB18N50K 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFB18N50K 数据手册
Vishay Siliconix
IRFB18N50KPBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFB18N50K 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFB18N50KPBF 数据手册
Vishay Intertechnology
IRFB18N50K 数据手册
Kersemi Electronic
IRFB18N50KPBF 数据手册
Kersemi Electronic
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet