| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 18.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.25 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 220 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17.0 A |
| 上升时间 | 60 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2830pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 220 W |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 220000 mW |
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFB18N50KPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 5 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 0.26ohm ，ID = 27A ） Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.26ohm, Id=27A)
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