| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 56.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 380 W |
| 零部件系列 | IRFB260N |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 56.0 A |
| 上升时间 | 64 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4220pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 380000 mW |
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.040ohm ，ID = 56A ） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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