Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRFB31N20DPBF Datasheet 文档
IRFB31N20DPBF 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFB31N20DPBF 技术参数、封装参数

IRFB31N20DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRFB31N20DPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.04 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRFB31N20 数据手册

IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.082ohm ,ID = 31A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号