| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 180 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 4.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 零部件系列 | IRFB3207 |
| 输入电容 | 7600pF @50V |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 180 A |
| 上升时间 | 120 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7600pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.66 mm |
| 高度 | 9.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB3207ZGPBF 场效应管, MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB
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