| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 330 W |
| 漏源极电阻 | 0.0036 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 7600 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 170A |
| 上升时间 | 120 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7600pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 74 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 330W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.66 mm |
| 宽度 | 22.86 mm |
| 高度 | 4.82 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V
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N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB
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INFINEON IRFB3207ZGPBF 场效应管, MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB
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