类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 300 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 4.1 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
连续漏极电流(Ids) | 170A |
上升时间 | 68 ns |
输入电容值(Ciss) | 6920pF @50V(Vds) |
下降时间 | 68 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Rail, Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.83 mm |
高度 | 16.51 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V
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N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB
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INFINEON IRFB3207ZGPBF 场效应管, MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB
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