| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 170 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 零部件系列 | IRFB3207Z |
| 输入电容 | 6.92 nF |
| 栅电荷 | 170 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 170 A |
| 输入电容值(Ciss) | 6920pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB3207ZGPBF 场效应管, MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB
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