| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 230W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 120A |
| 上升时间 | 64 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4750pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 65 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 230W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRFB3307ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
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75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon
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N 沟道 75 V 230 W 79 nC 功率 MosFet 法兰安装 - TO-220AB-3
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