| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 120 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 5.8 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 230 W |
| 零部件系列 | IRFB3307Z |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 4.75 nF |
| 栅电荷 | 110 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 120 A |
| 输入电容值(Ciss) | 4750pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 230 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB3307ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
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75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon
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Infineon（英飞凌）
N 沟道 75 V 230 W 79 nC 功率 MosFet 法兰安装 - TO-220AB-3
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