类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0045 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 370 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 180A |
上升时间 | 67 ns |
输入电容值(Ciss) | 9620pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 370 W |
下降时间 | 88 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 370W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Rail, Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.83 mm |
高度 | 16.51 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFB4110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB4110PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFB4110GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 180A, TO-220AB
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