类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 42.0 A |
封装 | TO-220-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 2.4W (Ta), 330W (Tc) |
零部件系列 | IRFB42N20D |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 44.0 A |
上升时间 | 69 ns |
输入电容值(Ciss) | 3430pF @25V(Vds) |
下降时间 | 32 ns |
耗散功率(Max) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 200 V 44A(Tc) 2.4W(Ta),330W(Tc) TO-220AB
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INFINEON IRFB42N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42.6 A, 200 V, 55 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.055ohm ,ID = 44A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.055ohm, Id=44A)
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