| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 300 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.055 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 5.5 V |
| 输入电容 | 3430 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 44A |
| 上升时间 | 69 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3430pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 32 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IRFB42N20DPBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 低栅极-漏极电荷, 以降低开关损耗。适用于高频DC-DC转换器。
●SP001560222
● 完全表征电容, 包括有效COSS, 可简化设计
● 全面表征雪崩电压和电流
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.21 MByte
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INFINEON IRFB42N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42.6 A, 200 V, 55 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.055ohm ，ID = 44A ） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.055ohm, Id=44A)
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