类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 4.8 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 250 W |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 127A |
上升时间 | 60 ns |
输入电容值(Ciss) | 6860pF @50V(Vds) |
下降时间 | 57 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 250W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10 mm |
宽度 | 4.4 mm |
高度 | 15.65 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRFB4310ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 V
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INFINEON IRFB4310PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 100 V, 5.6 mohm, 10 V, 4 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB4310PBF 场效应管, MOSFET
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