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IRFB59N10D
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IRFB59N10D 数据手册 (12 页)
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IRFB59N10D 技术参数、封装参数

IRFB59N10D 外形尺寸、物理参数、其它

IRFB59N10D 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFB59N10 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON)最大值= 0.025ohm ,ID = 59A ) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB59N10DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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Vishay Semiconductor(威世)
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