| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 59.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 0.025 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 零部件系列 | IRFB59N10D |
| 阈值电压 | 5.5 V |
| 输入电容 | 2450pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 59.0 A |
| 上升时间 | 90.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2450pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.8 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 8.77 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON）最大值= 0.025ohm ，ID = 59A ） Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB59N10DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
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