类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 59.0 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 200 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.025 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 W |
零部件系列 | IRFB59N10D |
阈值电压 | 5.5 V |
输入电容 | 2450 pF |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 59.0 A |
上升时间 | 90 ns |
输入电容值(Ciss) | 2450pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.8 W |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 8.77 mm |
宽度 | 4.4 mm |
高度 | 15.65 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 100 V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON)最大值= 0.025ohm ,ID = 59A ) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFB59N10DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
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