| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 294 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.00125 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 294 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 10820 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 317A |
| 上升时间 | 68 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 10820pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 294 W |
| 下降时间 | 68 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 294W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 的
●StrongIRFE
● 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
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INFINEON IRFB7434PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V
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