类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 9.20 A |
封装 | TO-220-3 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 170 W |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600V (min) |
连续漏极电流(Ids) | 9.20 A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 1400pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 170 W |
下降时间 | 22 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 170000 mW |
VISHAY(威世)
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.75ohm ,ID = 9.2A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFB9N60APBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
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