| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.5A |
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 650V ， RDS（ON）最大值= 0.93ohm ，ID = 8.5A ） Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
International Rectifier（国际整流器）
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