| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 650 V |
| 额定电流 | 8.50 A |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 167 W |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.50 A |
| 上升时间 | 20.0 ns |
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 650V ， RDS（ON）最大值= 0.93ohm ，ID = 8.5A ） Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
International Rectifier（国际整流器）
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