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IRFBC20PBF
来自 AiPCBA

IRFBC20PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:VISHAY  IRFBC20PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 50W, TO-220AB
PDF文件:IRFBC20PBF 数据手册 (8 页)
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IRFBC20PBF 数据手册 (8 页)
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IRFBC20PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
针脚数3 Position
漏源极电阻4.4 Ω
极性N-Channel
功耗50 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)2.20 A
上升时间23 ns
输入电容值(Ciss)350pF @25V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50 W
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IRFBC20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFBC20PBF 数据手册

IRFBC20PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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