类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 4.4 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 50 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.20 A |
输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 50 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 50 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.41 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.01 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 4.4ohm ,ID = 2.2A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFBC20PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 50W, TO-220AB
International Rectifier(国际整流器)
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