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IRFBC20SPBF
来自 AiPCBA

IRFBC20SPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-263
描述:VISHAY  IRFBC20SPBF.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRFBC20SPBF 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页
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IRFBC20SPBF 数据手册 (10 页)
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IRFBC20SPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263
额定功率50 W
针脚数3 Position
漏源极电阻3 Ω
极性N-Channel
功耗50 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)2.20 A
上升时间23 ns
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
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IRFBC20SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFBC20SPBF 数据手册

IRFBC20SPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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