类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-262-3 |
漏源极电阻 | 2.2 Ω |
功耗 | 74W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
输入电容值(Ciss) | 510pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 74 W |
耗散功率(Max) | 74W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.83 mm |
高度 | 9.65 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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ST Microelectronics(意法半导体)
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VISHAY IRFBC30PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
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