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IRFBC30APBF
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IRFBC30APBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:VISHAY  IRFBC30APBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, 10 V, 4.5 V
PDF文件:IRFBC30APBF 数据手册 (10 页)
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IRFBC30APBF 数据手册 (10 页)
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IRFBC30APBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻2.2 Ω
极性N-Channel
功耗74 W
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)3.60 A
输入电容值(Ciss)510pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)74 W
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IRFBC30APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
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IRFBC30APBF 数据手册

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