Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > IRFBC30ASPBF Datasheet 文档
IRFBC30ASPBF
来自 AiPCBA

IRFBC30ASPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFBC30ASPBF 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFBC30ASPBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFBC30ASPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
漏源极电阻2.2 Ω
极性N-Channel
功耗74 W
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)3.60 A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)510pF @25V(Vds)
额定功率(Max)74 W
下降时间12 ns
查看数据手册 >

IRFBC30ASPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量2000
查看数据手册 >

IRFBC30ASPBF 数据手册

IRFBC30ASPBF 数据手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.16 MByte
IRFBC30ASPBF 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
12 页 / 0.26 MByte

IRFBC30 数据手册

IRFBC30 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 600V - 1.8欧姆 - 3.6A - TO- 220的PowerMESH ] II MOSFET N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET
IRFBC30 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBC30 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFBC30 数据手册
Vishay Siliconix
IRFBC30 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBC30PBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBC30APBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBC30ASPBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBC30PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  IRFBC30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
IRFBC30PBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
N沟道,600V,3.6A,2.2Ω@10V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFBC30 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet