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IRFBC30PBF
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IRFBC30PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:VISHAY  IRFBC30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
PDF文件:IRFBC30PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IRFBC30PBF 数据手册 (9 页)
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IRFBC30PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
额定功率74 W
针脚数3 Position
漏源极电阻2.2 Ω
极性N-Channel
功耗74 W
阈值电压4 V
输入电容660pF @25V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)3.60 A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)660pF @25V(Vds)
下降时间14 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)74 W
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IRFBC30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFBC30PBF 数据手册

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