| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 2.2 Ω |
| 功耗 | 74000 mW |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 660pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 74W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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ST Microelectronics（意法半导体）
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VISHAY IRFBC30PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
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