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IRFBC40ASTRRPBF
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IRFBC40ASTRRPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFBC40ASTRRPBF 数据手册 (8 页)
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IRFBC40ASTRRPBF 数据手册 (8 页)
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IRFBC40ASTRRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
漏源极电阻1.2 Ω
极性N-CH
功耗125 W
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)6.2A
上升时间23 ns
输入电容值(Ciss)1036pF @25V(Vds)
额定功率(Max)125 W
下降时间18 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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IRFBC40ASTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量2000
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IRFBC40ASTRRPBF 数据手册

IRFBC40ASTRRPBF 数据手册
VISHAY（威世）
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