Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRFBE20PBF Datasheet 文档
IRFBE20PBF
来自 AiPCBA

IRFBE20PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:VISHAY  IRFBE20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRFBE20PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFBE20PBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFBE20PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流1.80 A
封装TO-220
针脚数3 Position
漏源极电阻6.5 Ω
极性N-Channel
功耗54 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)1.80 A
上升时间17.0 ns
输入电容值(Ciss)530pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)54 W
查看数据手册 >

IRFBE20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
查看数据手册 >

IRFBE20PBF 数据手册

IRFBE20PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 1.11 MByte
IRFBE20PBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 1.11 MByte

IRFBE20 数据手册

IRFBE20 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFBE20 数据手册
Vishay Siliconix
IRFBE20 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBE20 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBE20 数据手册
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 6.5ohm ，ID = 1.8A ） Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
IRFBE20PBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBE20PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  IRFBE20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
IRFBE20PBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFBE20PBF 数据手册
Vishay Siliconix
IRFBE20S 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFBE20 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet