类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 54W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 800 V |
输入电容值(Ciss) | 530pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 54 W |
耗散功率(Max) | 54W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 800 V 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 800V , RDS(ON) = 6.5ohm ,ID = 1.8A ) Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFBE20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
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