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IRFBE30
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IRFBE30 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IRFBE30 数据手册 (8 页)
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IRFBE30 数据手册 (8 页)
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IRFBE30 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
通道数1 Channel
功耗125W (Tc)
漏源极电压(Vds)800 V
输入电容值(Ciss)1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)125W (Tc)
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IRFBE30 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFBE30 数据手册

IRFBE30 数据手册
Vishay Siliconix
8 页 / 0.36 MByte
IRFBE30 其他数据使用手册
Vishay Siliconix
9 页 / 1.55 MByte
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