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IRFBE30
来自 AiPCBA

IRFBE30 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
描述:功率MOSFET Power MOSFET
Pictures:
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焊盘图
引脚图
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IRFBE30 数据手册 (9 页)
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IRFBE30 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流4.10 A
漏源极电阻3.00 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)4.10 A
上升时间33 ns
下降时间30 ns

IRFBE30 数据手册

IRFBE30 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 1.43 MByte
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