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IRFBE30LPBF
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IRFBE30LPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-262
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFBE30LPBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在8 页9 页
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IRFBE30LPBF 数据手册 (11 页)
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IRFBE30LPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-262
极性N-Channel
功耗125 W
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)4.10 A
上升时间33 ns
输入电容值(Ciss)1300pF @25V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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IRFBE30LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFBE30LPBF 数据手册

IRFBE30LPBF 数据手册
VISHAY（威世）
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