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IRFBE30SPBF
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IRFBE30SPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:D2PAK-263
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFBE30SPBF 数据手册 (8 页)
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IRFBE30SPBF 数据手册 (8 页)
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IRFBE30SPBF 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装D2PAK-263
漏源极电阻3 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)4.10 A
工作温度(Max)150 ℃
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IRFBE30SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
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IRFBE30SPBF 数据手册

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