| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-262-3 |
| 漏源极电阻 | 8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.70 A |
| 上升时间 | 21 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 490pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.1 W |
| 下降时间 | 32 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 1000 |
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 900V ， RDS（ON） = 8.0ohm ，ID = 1.7A ） Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFBF20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V
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